NP50P04KDG-E1-AY | Renesas Electronics America NP50P04KDG-E1-AY | NP50P04KDG-E1-AY Inventory, Best Pricing

NP50P04KDG-E1-AY

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Numero parte	NP50P04KDG-E1-AY
LIXINC Part #	NP50P04KDG-E1-AY
Produttore	Renesas Electronics America
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET P-CH 40V 50A TO263
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	NP50P04KDG-E1-AY Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

NP50P04KDG-E1-AY Specifiche

Numero parte:	NP50P04KDG-E1-AY
Marca:	Renesas Electronics America
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Renesas Electronics America
serie:	-
pacchetto:	Tape & Reel (TR)
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	P-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	40 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	50A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	10mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	2.5V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	100 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	5100 pF @ 10 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	1.8W (Ta), 90W (Tc)
temperatura di esercizio:	175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	TO-263
pacchetto/caso:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

ZXMN6A07FTC	MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3	946 Maggiori informazioni su Ordine
IRF3707S	MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK	880 Maggiori informazioni su Ordine
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SI2311DS-T1-GE3	MOSFET P-CH 8V 3A SOT23-3	831 Maggiori informazioni su Ordine
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