BSF077N06NT3GXUMA1

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Numero parte BSF077N06NT3GXUMA1
LIXINC Part # BSF077N06NT3GXUMA1
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 60V 13A/56A 2WDSON
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD BSF077N06NT3GXUMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
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BSF077N06NT3GXUMA1 Specifiche

Numero parte:BSF077N06NT3GXUMA1
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:OptiMOS™
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:13A (Ta), 56A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:7.7mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 33µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:46 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:3700 pF @ 30 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):2.2W (Ta), 38W (Tc)
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:MG-WDSON-2, CanPAK M™
pacchetto/caso:3-WDSON

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