MVB50P03HDLT4G

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Numero parte MVB50P03HDLT4G
LIXINC Part # MVB50P03HDLT4G
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD MVB50P03HDLT4G Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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MVB50P03HDLT4G Specifiche

Numero parte:MVB50P03HDLT4G
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:Automotive, AEC-Q101
pacchetto:Bulk
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:P-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:50A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):5V
rds su (max) @ id, vgs:25mOhm @ 25A, 5V
vgs(th) (massimo) @ id:2V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:100 nC @ 5 V
vgs (massimo):±15V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:4.9 nF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):125W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:D2PAK-3
pacchetto/caso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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