TK60P03M1,RQ(S

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Numero parte TK60P03M1,RQ(S
LIXINC Part # TK60P03M1,RQ(S
Produttore Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 30V 60A DPAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD TK60P03M1,RQ(S Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Jul 03 - Jul 07 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

TK60P03M1,RQ(S Specifiche

Numero parte:TK60P03M1,RQ(S
Marca:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:U-MOSVI-H
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Last Time Buy
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:60A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:6.4mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.3V @ 500µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:40 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2700 pF @ 10 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):63W (Tc)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:DPAK
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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