FDFMA2P853

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Numero parte FDFMA2P853
LIXINC Part # FDFMA2P853
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FDFMA2P853 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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FDFMA2P853 Specifiche

Numero parte:FDFMA2P853
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:PowerTrench®
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:P-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):20 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:3A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):1.8V, 4.5V
rds su (max) @ id, vgs:120mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:1.3V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:6 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):±8V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:435 pF @ 10 V
caratteristica del feto:Schottky Diode (Isolated)
dissipazione di potenza (max):1.4W (Ta)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:6-MicroFET (2x2)
pacchetto/caso:6-VDFN Exposed Pad

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