SSM6J771G,LF | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation SSM6J771G,LF

SSM6J771G,LF

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Numero parte	SSM6J771G,LF
LIXINC Part #	SSM6J771G,LF
Produttore	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 5A 6WCSP
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	SSM6J771G,LF Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 08 - Oct 12 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

SSM6J771G,LF Specifiche

Numero parte:	SSM6J771G,LF
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	U-MOSVI
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	P-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	20 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	5A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	2.5V, 8.5V
rds su (max) @ id, vgs:	31mOhm @ 3A, 8.5V
vgs(th) (massimo) @ id:	1.2V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	9.8 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):	±12V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	870 pF @ 10 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	1.2W (Ta)
temperatura di esercizio:	150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	-
pacchetto/caso:	6-UFBGA, WLCSP

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FDWS9508L-F085	MOSFET P-CH 40V 80A 8PQFN	5485 Maggiori informazioni su Ordine
BUZ32	MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220AB	1454 Maggiori informazioni su Ordine
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UPA651TT-E1-A	MOSFET P-CH 20V 5A 6WSOF	15891 Maggiori informazioni su Ordine
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UPA2720GR-E1-A	MOSFET N-CH 30V 14A 8PSOP	3450 Maggiori informazioni su Ordine