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Numero parte | BUK9Y6R0-60E,115 |
LIXINC Part # | BUK9Y6R0-60E,115 |
Produttore | Nexperia |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | BUK9Y6R0-60E,115 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 08 - Oct 12 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | BUK9Y6R0-60E,115 |
Marca: | Nexperia |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Nexperia |
serie: | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 60 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 100A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 5V |
rds su (max) @ id, vgs: | 5.2mOhm @ 25A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 2.1V @ 1mA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 39.4 nC @ 5 V |
vgs (massimo): | ±10V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 6319 pF @ 25 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 195W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | LFPAK56, Power-SO8 |
pacchetto/caso: | SC-100, SOT-669 |
MIC94053BC6 | P-CHANNEL POWER MOSFET | 985 Maggiori informazioni su Ordine |
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In magazzino | 11244 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.08000 | $1.08 |
1500 | $0.56694 | $850.41 |
3000 | $0.52914 | $1587.42 |
7500 | $0.50269 | $3770.175 |
10500 | $0.48379 | $5079.795 |
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