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Numero parte | SI5459DU-T1-GE3 |
LIXINC Part # | SI5459DU-T1-GE3 |
Produttore | Vishay / Siliconix |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET P-CH 20V 8A PPAK |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | SI5459DU-T1-GE3 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 08 - Oct 12 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | SI5459DU-T1-GE3 |
Marca: | Vishay / Siliconix |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Vishay / Siliconix |
serie: | TrenchFET® |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | P-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 20 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 8A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 2.5V, 4.5V |
rds su (max) @ id, vgs: | 52mOhm @ 6.7A, 4.5V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 1.4V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 26 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±12V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 665 pF @ 10 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 3.5W (Ta), 10.9W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -50°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | PowerPAK® ChipFet Single |
pacchetto/caso: | PowerPAK® ChipFET™ Single |
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In magazzino | 17292 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.64000 | $0.64 |
3000 | $0.27121 | $813.63 |
6000 | $0.25361 | $1521.66 |
15000 | $0.24480 | $3672 |
30000 | $0.24000 | $7200 |
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