3N163 DIE

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Numero parte 3N163 DIE
LIXINC Part # 3N163 DIE
Produttore Linear Integrated Systems, Inc.
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione P-CHANNEL, SINGLE ENHANCEMENT MO
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD 3N163 DIE Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

3N163 DIE Specifiche

Numero parte:3N163 DIE
Marca:Linear Integrated Systems, Inc.
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Linear Integrated Systems, Inc.
serie:-
pacchetto:Tray
stato della parte:Active
tipo di feto:P-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):40 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:50mA
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):20V
rds su (max) @ id, vgs:250Ohm @ 100µA, 20V
vgs(th) (massimo) @ id:5V @ 10µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:-
vgs (massimo):-6.5V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:3.5 pF @ 15 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):-
temperatura di esercizio:-
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:Die
pacchetto/caso:Die

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