Solo per riferimento
Numero parte | 3N163 DIE |
LIXINC Part # | 3N163 DIE |
Produttore | Linear Integrated Systems, Inc. |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | P-CHANNEL, SINGLE ENHANCEMENT MO |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | 3N163 DIE Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | 3N163 DIE |
Marca: | Linear Integrated Systems, Inc. |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Linear Integrated Systems, Inc. |
serie: | - |
pacchetto: | Tray |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | P-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 40 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 50mA |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 20V |
rds su (max) @ id, vgs: | 250Ohm @ 100µA, 20V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 5V @ 10µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | - |
vgs (massimo): | -6.5V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 3.5 pF @ 15 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | - |
temperatura di esercizio: | - |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | Die |
pacchetto/caso: | Die |
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In magazzino | 11290 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
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