TJ80S04M3L,LXHQ

TJ80S04M3L,LXHQ
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Numero parte TJ80S04M3L,LXHQ
LIXINC Part # TJ80S04M3L,LXHQ
Produttore Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET P-CH 40V 80A DPAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD TJ80S04M3L,LXHQ Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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TJ80S04M3L,LXHQ Specifiche

Numero parte:TJ80S04M3L,LXHQ
Marca:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:U-MOSVI
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:P-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):40 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:80A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):6V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:5.2mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:3V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:158 nC @ 10 V
vgs (massimo):+10V, -20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:7770 pF @ 10 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):100W (Tc)
temperatura di esercizio:175°C
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:DPAK+
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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