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Numero parte | NTB27N06LT4 |
LIXINC Part # | NTB27N06LT4 |
Produttore | Rochester Electronics |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 27A D2PAK |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | NTB27N06LT4 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 29 - Oct 03 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | NTB27N06LT4 |
Marca: | Rochester Electronics |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Rochester Electronics |
serie: | - |
pacchetto: | Bulk |
stato della parte: | Obsolete |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 60 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 27A (Ta) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 5V |
rds su (max) @ id, vgs: | 48mOhm @ 13.5A, 5V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 2V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 32 nC @ 5 V |
vgs (massimo): | ±15V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 990 pF @ 25 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 88.2W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | D2PAK |
pacchetto/caso: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
NTHL095N65S3HF | MOSFET N-CH 650V 36A TO247-3 | 1145 Maggiori informazioni su Ordine |
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IRFH8316TRPBF-IR | IRFH8316 - HEXFET POWER MOSFET | 5312 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 21790 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
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