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Numero parte | TSM4N90CZ C0G |
LIXINC Part # | TSM4N90CZ C0G |
Produttore | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CHANNEL 900V 4A TO220 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | TSM4N90CZ C0G Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 11 - Oct 15 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | TSM4N90CZ C0G |
Marca: | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | TSC (Taiwan Semiconductor) |
serie: | - |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 900 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 4A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 4Ohm @ 2A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 4V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 25 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±30V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 955 pF @ 25 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 38.7W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-220 |
pacchetto/caso: | TO-220-3 |
DN3765K4-G | MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3 | 1191 Maggiori informazioni su Ordine |
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In magazzino | 14824 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.97000 | $1.97 |
10 | $1.78066 | $17.8066 |
100 | $1.43076 | $143.076 |
500 | $1.11279 | $556.395 |
1000 | $0.92201 | $922.01 |
3000 | $0.89022 | $2670.66 |
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