FDD86102LZ

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Numero parte FDD86102LZ
LIXINC Part # FDD86102LZ
Produttore Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 100V 8A/35A DPAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FDD86102LZ Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 10 - Oct 14 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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Spedizione DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FDD86102LZ Specifiche

Numero parte:FDD86102LZ
Marca:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:PowerTrench®
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:8A (Ta), 35A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:22.5mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:3V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:26 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1540 pF @ 50 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):3.1W (Ta), 54W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:D-PAK (TO-252)
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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