Solo per riferimento
Numero parte | CSD18503Q5A |
LIXINC Part # | CSD18503Q5A |
Produttore | Texas Instruments |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 40V 19A/100A 8VSON |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | CSD18503Q5A Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 09 - Oct 13 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | CSD18503Q5A |
Marca: | Texas Instruments |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Texas Instruments |
serie: | NexFET™ |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 40 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 19A (Ta), 100A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 4.5V, 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 4.3mOhm @ 22A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 2.3V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 32 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 2640 pF @ 20 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 3.1W (Ta), 120W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 8-VSONP (5x6) |
pacchetto/caso: | 8-PowerTDFN |
IPW65R190E6 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1490 Maggiori informazioni su Ordine |
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2SK1566-E | N-CHANNEL POWER MOSFET | 3298 Maggiori informazioni su Ordine |
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BSP171PH6327XTSA1 | MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4 | 1009 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 10840 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
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