IRF1310NSPBF-INF

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Numero parte IRF1310NSPBF-INF
LIXINC Part # IRF1310NSPBF-INF
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione HEXFET POWER MOSFET
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IRF1310NSPBF-INF Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 08 - Oct 12 2024(Scegli spedizione rapida)
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IRF1310NSPBF-INF Specifiche

Numero parte:IRF1310NSPBF-INF
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:*
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:-
tecnologia:-
tensione drain-source (vdss):-
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:-
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):-
rds su (max) @ id, vgs:-
vgs(th) (massimo) @ id:-
carica di gate (qg) (max) @ vgs:-
vgs (massimo):-
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:-
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):-
temperatura di esercizio:-
tipo di montaggio:-
pacchetto del dispositivo del fornitore:-
pacchetto/caso:-

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