BSC084P03NS3GATMA1 | IR (Infineon Technologies) BSC084P03NS3GATMA1 | BSC084P03NS3GATMA1 Inventory, Best Pricing

BSC084P03NS3GATMA1

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Numero parte	BSC084P03NS3GATMA1
LIXINC Part #	BSC084P03NS3GATMA1
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	BSC084P03NS3GATMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Oct 07 - Oct 11 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

BSC084P03NS3GATMA1 Specifiche

Numero parte:	BSC084P03NS3GATMA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
serie:	OptiMOS™
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	P-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	14.9A (Ta), 78.6A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	6V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	8.4mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	3.1V @ 105µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	58 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±25V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	4785 pF @ 15 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	2.5W (Ta), 69W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	PG-TDSON-8-5
pacchetto/caso:	8-PowerTDFN

IRF9530NSTRLPBF	MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK	989 Maggiori informazioni su Ordine
IAUT240N08S5N019ATMA1	MOSFET N-CH 80V 240A 8HSOF	1010 Maggiori informazioni su Ordine
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FDB8832	MOSFET N-CH 30V 34A/80A TO263AB	3737 Maggiori informazioni su Ordine
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FQA24N50	24A, 500V, 0.2OHM, N-CHANNEL, M	29097 Maggiori informazioni su Ordine
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IPB65R420CFDATMA1	MOSFET N-CH 650V 8.7A D2PAK	957 Maggiori informazioni su Ordine