STWA30N65DM6AG

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Numero parte STWA30N65DM6AG
LIXINC Part # STWA30N65DM6AG
Produttore STMicroelectronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 650V 28A TO247
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD STWA30N65DM6AG Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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STWA30N65DM6AG Specifiche

Numero parte:STWA30N65DM6AG
Marca:STMicroelectronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:STMicroelectronics
serie:Automotive, AEC-Q101
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):650 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:28A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:110mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4.75V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:46 nC @ 10 V
vgs (massimo):±25V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:2000 pF @ 100 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):284W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-247 Long Leads
pacchetto/caso:TO-247-3

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