TK58E06N1,S1X

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Numero parte TK58E06N1,S1X
LIXINC Part # TK58E06N1,S1X
Produttore Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 60V 58A TO220
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD TK58E06N1,S1X Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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TK58E06N1,S1X Specifiche

Numero parte:TK58E06N1,S1X
Marca:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:U-MOSVIII-H
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:58A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:5.4mOhm @ 29A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 500µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:46 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:3400 pF @ 30 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):110W (Tc)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-220
pacchetto/caso:TO-220-3

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