IRF1310NSPBF

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Numero parte IRF1310NSPBF
LIXINC Part # IRF1310NSPBF
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione HEXFET POWER MOSFET
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IRF1310NSPBF Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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IRF1310NSPBF Specifiche

Numero parte:IRF1310NSPBF
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:HEXFET®
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:42A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:36mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:110 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1.9 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):3.8W (Ta), 160W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:D2PAK
pacchetto/caso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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