BSP88L6327HTSA1

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Numero parte BSP88L6327HTSA1
LIXINC Part # BSP88L6327HTSA1
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD BSP88L6327HTSA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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BSP88L6327HTSA1 Specifiche

Numero parte:BSP88L6327HTSA1
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:SIPMOS®
pacchetto:Bulk
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):240 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:350mA (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):2.8V, 4.5V
rds su (max) @ id, vgs:6Ohm @ 350mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:1.4V @ 108µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:6.8 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:95 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):1.7W (Ta)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-SOT223-4
pacchetto/caso:TO-261-4, TO-261AA

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