SIHD2N80E-GE3

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Numero parte SIHD2N80E-GE3
LIXINC Part # SIHD2N80E-GE3
Produttore Vishay / Siliconix
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD SIHD2N80E-GE3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 29 - Oct 03 2024(Scegli spedizione rapida)
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SIHD2N80E-GE3 Specifiche

Numero parte:SIHD2N80E-GE3
Marca:Vishay / Siliconix
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Vishay / Siliconix
serie:E
pacchetto:Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):800 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:2.8A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:2.75Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:19.6 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:315 pF @ 100 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):62.5W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:D-PAK (TO-252AA)
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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