SI3430DV-T1-BE3

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Numero parte SI3430DV-T1-BE3
LIXINC Part # SI3430DV-T1-BE3
Produttore Vishay / Siliconix
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD SI3430DV-T1-BE3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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SI3430DV-T1-BE3 Specifiche

Numero parte:SI3430DV-T1-BE3
Marca:Vishay / Siliconix
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Vishay / Siliconix
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:1.8A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):6V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:170mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4.2V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:8.2 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:-
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):1.14W (Ta)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:6-TSOP
pacchetto/caso:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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