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NTZS3151PT1H

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Numero parte	NTZS3151PT1H
LIXINC Part #	NTZS3151PT1H
Produttore	Rochester Electronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563-6
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	NTZS3151PT1H Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 29 - Oct 03 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

NTZS3151PT1H Specifiche

Numero parte:	NTZS3151PT1H
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Rochester Electronics
serie:	-
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Obsolete
tipo di feto:	P-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	20 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	860mA (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	1.8V, 4.5V
rds su (max) @ id, vgs:	150mOhm @ 950mA, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:	1V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	5.6 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):	±8V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	458 pF @ 16 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	170mW (Ta)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	SOT-563-6
pacchetto/caso:	SOT-563, SOT-666

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