TPH5900CNH,L1Q | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TPH5900CNH,L1Q

TPH5900CNH,L1Q

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Numero parte	TPH5900CNH,L1Q
LIXINC Part #	TPH5900CNH,L1Q
Produttore	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	TPH5900CNH,L1Q Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 28 - Oct 02 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
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TPH5900CNH,L1Q Specifiche

Numero parte:	TPH5900CNH,L1Q
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	U-MOSVIII-H
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	150 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	9A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	59mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4V @ 200µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	7 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	600 pF @ 75 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	1.6W (Ta), 42W (Tc)
temperatura di esercizio:	150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	8-SOP Advance (5x5)
pacchetto/caso:	8-PowerVDFN

SI2315BDS-T1-E3	MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3	118811 Maggiori informazioni su Ordine
IPD050N03LGATMA1	MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3	1563 Maggiori informazioni su Ordine
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AOWF095A60	MOSFET N-CH 600V 38A TO262F	1879 Maggiori informazioni su Ordine
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FDMA430NZ	MOSFET N-CH 30V 5A 6MICROFET	977 Maggiori informazioni su Ordine
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