IPB80N06S405ATMA2 | IR (Infineon Technologies) IPB80N06S405ATMA2 | IPB80N06S405ATMA2 Inventory, Best Pricing

IPB80N06S405ATMA2

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Numero parte	IPB80N06S405ATMA2
LIXINC Part #	IPB80N06S405ATMA2
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IPB80N06S405ATMA2 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 28 - Oct 02 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IPB80N06S405ATMA2 Specifiche

Numero parte:	IPB80N06S405ATMA2
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
serie:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
pacchetto:	Tape & Reel (TR)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	80A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	5.7mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4V @ 60µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	81 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	6500 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	107W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	PG-TO263-3-2
pacchetto/caso:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

NTTFS4C05NTAG	MOSFET N-CH 30V 12A/75A 8WDFN	1000 Maggiori informazioni su Ordine
IAUT200N08S5N023ATMA1	MOSFET N-CH 80V 200A 8HSOF	2533 Maggiori informazioni su Ordine
PSMN1R8-30BL,118	MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK	955 Maggiori informazioni su Ordine
PMF780SN,115	MOSFET N-CH 60V 570MA SOT323-3	120896 Maggiori informazioni su Ordine
IPB60R045P7ATMA1	MOSFET N-CH 600V 61A TO263-3-2	984 Maggiori informazioni su Ordine
IRFU220PBF	MOSFET N-CH 200V 4.8A TO251AA	3474 Maggiori informazioni su Ordine
2SJ254	P-CHANNEL POWER MOSFET	18750 Maggiori informazioni su Ordine
IRLU3110ZPBF	MOSFET N-CH 100V 42A IPAK	918 Maggiori informazioni su Ordine
IRFU110PBF	MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA	7280 Maggiori informazioni su Ordine
NTD5802NT4G	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1	1587 Maggiori informazioni su Ordine
DMP3008SFGQ-13	MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8	1258 Maggiori informazioni su Ordine
AO4425	MOSFET P-CH 38V 14A 8SOIC	108766 Maggiori informazioni su Ordine
AUIRFS4115	MOSFET N-CH 150V 99A D2PAK	4690 Maggiori informazioni su Ordine