FQPF9N50CT

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Numero parte FQPF9N50CT
LIXINC Part # FQPF9N50CT
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 500V 9A TO220F
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FQPF9N50CT Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 28 - Oct 02 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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FQPF9N50CT Specifiche

Numero parte:FQPF9N50CT
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:QFET®
pacchetto:Tube
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):500 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:9A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:800mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:35 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1.03 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):44W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-220F
pacchetto/caso:TO-220-3 Full Pack

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