NTTFS4H07NTAG | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTTFS4H07NTAG

NTTFS4H07NTAG

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Numero parte	NTTFS4H07NTAG
LIXINC Part #	NTTFS4H07NTAG
Produttore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 25V 18.5A/66A 8WDFN
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	NTTFS4H07NTAG Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

NTTFS4H07NTAG Specifiche

Numero parte:	NTTFS4H07NTAG
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	-
pacchetto:	Tape & Reel (TR)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	25 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	18.5A (Ta), 66A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	4.8mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	2.1V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	12.4 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	771 pF @ 12 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	2.64W (Ta), 33.8W (Tc)
temperatura di esercizio:	150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	8-WDFN (3.3x3.3)
pacchetto/caso:	8-PowerWDFN

R5009ANX	MOSFET N-CH 500V 9A TO220	1455 Maggiori informazioni su Ordine
IPP260N06N3G	N-CHANNEL POWER MOSFET	985 Maggiori informazioni su Ordine
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IRL1404STRLPBF	MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK	1661 Maggiori informazioni su Ordine