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Numero parte | G3R20MT12N |
LIXINC Part # | G3R20MT12N |
Produttore | GeneSiC Semiconductor |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | SIC MOSFET N-CH 105A SOT227 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | G3R20MT12N Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | G3R20MT12N |
Marca: | GeneSiC Semiconductor |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | GeneSiC Semiconductor |
serie: | G3R™ |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | SiCFET (Silicon Carbide) |
tensione drain-source (vdss): | 1200 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 105A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 15V |
rds su (max) @ id, vgs: | 24mOhm @ 60A, 15V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 2.69V @ 15mA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 219 nC @ 15 V |
vgs (massimo): | +20V, -10V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 5873 pF @ 800 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 365W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Chassis Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | SOT-227 |
pacchetto/caso: | SOT-227-4, miniBLOC |
PSMN2R8-40BS,118 | MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK | 12617 Maggiori informazioni su Ordine |
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IRFF322 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1469 Maggiori informazioni su Ordine |
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BUK7619-100B,118 | MOSFET N-CH 100V 64A D2PAK | 1633 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 11005 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
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