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IRF614

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Numero parte	IRF614
LIXINC Part #	IRF614
Produttore	Rochester Electronics
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	ADVANCED POWER MOSFET
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IRF614 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IRF614 Specifiche

Numero parte:	IRF614
Marca:	Rochester Electronics
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Rochester Electronics
serie:	-
pacchetto:	Bulk
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	250 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	2.7A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	2Ohm @ 1.6A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	8.2 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	140 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	36W (Tc)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	TO-220AB
pacchetto/caso:	TO-220-3

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FKV550N	MOSFET N-CH 50V 50A TO220F	933 Maggiori informazioni su Ordine
R6004JNXC7G	MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM	2392 Maggiori informazioni su Ordine
RJK6024DPD-00#J2	N-CHANNEL POWER MOSFET	3997 Maggiori informazioni su Ordine
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IPA60R190E6XKSA1	MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP	873 Maggiori informazioni su Ordine
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TJ40S04M3L(T6L1,NQ	MOSFET P-CH 40V 40A DPAK	942 Maggiori informazioni su Ordine
IPS80R1K2P7AKMA1	MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3	5480 Maggiori informazioni su Ordine
SQS481ENW-T1_GE3	MOSFET P-CH 150V 4.7A PPAK1212-8	5067 Maggiori informazioni su Ordine