SIHD1K4N60E-GE3

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Numero parte SIHD1K4N60E-GE3
LIXINC Part # SIHD1K4N60E-GE3
Produttore Vishay / Siliconix
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 600V 4.2A TO252AA
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD SIHD1K4N60E-GE3 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 23 - Oct 27 2024(Scegli spedizione rapida)
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SIHD1K4N60E-GE3 Specifiche

Numero parte:SIHD1K4N60E-GE3
Marca:Vishay / Siliconix
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Vishay / Siliconix
serie:E
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):600 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:4.2A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:1.45Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:7.5 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:172 pF @ 100 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):63W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-252AA
pacchetto/caso:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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