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Numero parte | SIHD1K4N60E-GE3 |
LIXINC Part # | SIHD1K4N60E-GE3 |
Produttore | Vishay / Siliconix |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 4.2A TO252AA |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | SIHD1K4N60E-GE3 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 23 - Oct 27 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | SIHD1K4N60E-GE3 |
Marca: | Vishay / Siliconix |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Vishay / Siliconix |
serie: | E |
pacchetto: | Bulk |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 600 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 4.2A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 1.45Ohm @ 500mA, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 5V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 7.5 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±30V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 172 pF @ 100 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 63W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-252AA |
pacchetto/caso: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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In magazzino | 13901 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $1.22000 | $1.22 |
10 | $1.08691 | $10.8691 |
100 | $0.86537 | $86.537 |
500 | $0.67808 | $339.04 |
1000 | $0.54184 | $541.84 |
2500 | $0.50778 | $1269.45 |
5000 | $0.48394 | $2419.7 |
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