NDF08N60ZH

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Numero parte NDF08N60ZH
LIXINC Part # NDF08N60ZH
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 600V 8.4A TO220FP
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD NDF08N60ZH Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Oct 22 - Oct 26 2024(Scegli spedizione rapida)
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NDF08N60ZH Specifiche

Numero parte:NDF08N60ZH
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:-
pacchetto:Tube
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):600 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:8.4A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:950mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4.5V @ 100µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:58 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1.37 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):36W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-220FP
pacchetto/caso:TO-220-3 Full Pack

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