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Numero parte | STW70N60DM6 |
LIXINC Part # | STW70N60DM6 |
Produttore | STMicroelectronics |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 62A TO247 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | STW70N60DM6 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Oct 22 - Oct 26 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | STW70N60DM6 |
Marca: | STMicroelectronics |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | STMicroelectronics |
serie: | MDmesh™ DM6 |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 600 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 62A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | - |
rds su (max) @ id, vgs: | - |
vgs(th) (massimo) @ id: | - |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | - |
vgs (massimo): | - |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | - |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | - |
temperatura di esercizio: | - |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-247 |
pacchetto/caso: | TO-247-3 |
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SI7430DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8 | 6573 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 10968 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $12.30000 | $12.3 |
10 | $11.14832 | $111.4832 |
100 | $9.30733 | $930.733 |
600 | $7.92691 | $4756.146 |
1200 | $7.00664 | $8407.968 |
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