SSM5N15FE(TE85L,F)

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Numero parte SSM5N15FE(TE85L,F)
LIXINC Part # SSM5N15FE(TE85L,F)
Produttore Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 30V 100MA ESV
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD SSM5N15FE(TE85L,F) Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 28 - Oct 02 2024(Scegli spedizione rapida)
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SSM5N15FE(TE85L,F) Specifiche

Numero parte:SSM5N15FE(TE85L,F)
Marca:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:π-MOSVI
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):30 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:100mA (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):2.5V, 4V
rds su (max) @ id, vgs:4Ohm @ 10mA, 4V
vgs(th) (massimo) @ id:1.5V @ 100µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:-
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:7.8 pF @ 3 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):150mW (Ta)
temperatura di esercizio:150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:ESV
pacchetto/caso:SOT-553

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