VP2110K1-G | Roving Networks / Microchip Technology VP2110K1-G

VP2110K1-G

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Numero parte	VP2110K1-G
LIXINC Part #	VP2110K1-G
Produttore	Roving Networks / Microchip Technology
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET P-CH 100V 120MA TO236AB
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	VP2110K1-G Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 28 - Oct 02 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

VP2110K1-G Specifiche

Numero parte:	VP2110K1-G
Marca:	Roving Networks / Microchip Technology
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Roving Networks / Microchip Technology
serie:	-
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	P-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	120mA (Tj)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	12Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	3.5V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	60 pF @ 25 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	360mW (Ta)
temperatura di esercizio:	-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	TO-236AB (SOT23)
pacchetto/caso:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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