IAUZ40N08S5N100ATMA1

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Numero parte IAUZ40N08S5N100ATMA1
LIXINC Part # IAUZ40N08S5N100ATMA1
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 75V 80A 8TSDSON
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IAUZ40N08S5N100ATMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida)
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IAUZ40N08S5N100ATMA1 Specifiche

Numero parte:IAUZ40N08S5N100ATMA1
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5
pacchetto:Tape & Reel (TR)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):80 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:40A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):6V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:10mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:3.8V @ 27µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:24.2 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1591 pF @ 40 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):68W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-TDSON-8
pacchetto/caso:8-PowerTDFN

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