BBS3002-DL-1E | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor BBS3002-DL-1E

BBS3002-DL-1E

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Numero parte	BBS3002-DL-1E
LIXINC Part #	BBS3002-DL-1E
Produttore	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 100A D2PAK
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	BBS3002-DL-1E Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 26 - Sep 30 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

BBS3002-DL-1E Specifiche

Numero parte:	BBS3002-DL-1E
Marca:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
serie:	-
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	P-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	100A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	4V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:	5.8mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	-
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	280 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	13200 pF @ 20 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	90W (Tc)
temperatura di esercizio:	150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	D²PAK (TO-263)
pacchetto/caso:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SUD23N06-31-T4-GE3	MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252	3386 Maggiori informazioni su Ordine
2SK3800VL	MOSFET N-CH 40V 70A TO220S	801 Maggiori informazioni su Ordine
SI2318DS-T1-E3	MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3	2941 Maggiori informazioni su Ordine
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APT8020JLL	MOSFET N-CH 800V 33A ISOTOP	857 Maggiori informazioni su Ordine