DMN2600UFB-7

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Numero parte DMN2600UFB-7
LIXINC Part # DMN2600UFB-7
Produttore Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 25V 1.3A 3DFN
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD DMN2600UFB-7 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 25 - Sep 29 2024(Scegli spedizione rapida)
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DMN2600UFB-7 Specifiche

Numero parte:DMN2600UFB-7
Marca:Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
serie:-
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):25 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:1.3A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):1.8V, 4.5V
rds su (max) @ id, vgs:350mOhm @ 200mA, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id:1V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:0.85 nC @ 4.5 V
vgs (massimo):±8V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:70.13 pF @ 15 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):540mW (Ta)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:3-X1DFN1006
pacchetto/caso:3-UFDFN

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