BUK6E4R0-75C,127

BUK6E4R0-75C,127
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Numero parte BUK6E4R0-75C,127
LIXINC Part # BUK6E4R0-75C,127
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 75V 120A I2PAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD BUK6E4R0-75C,127 Impronta PCB e simbolo
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BUK6E4R0-75C,127 Specifiche

Numero parte:BUK6E4R0-75C,127
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
pacchetto:Tube
stato della parte:Obsolete
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):75 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:120A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):4.5V, 10V
rds su (max) @ id, vgs:4.2mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:2.8V @ 1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:234 nC @ 10 V
vgs (massimo):±16V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:15.45 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):306W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:I2PAK
pacchetto/caso:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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