FCB20N60-F085

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Numero parte FCB20N60-F085
LIXINC Part # FCB20N60-F085
Produttore Rochester Electronics
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD FCB20N60-F085 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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FCB20N60-F085 Specifiche

Numero parte:FCB20N60-F085
Marca:Rochester Electronics
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rochester Electronics
serie:Automotive, AEC-Q101, SuperFET™
pacchetto:Bulk
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):600 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:20A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):-
rds su (max) @ id, vgs:198mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:5V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:102 nC @ 10 V
vgs (massimo):±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:3080 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):341W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:D2PAK (TO-263)
pacchetto/caso:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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