IPW65R150CFDAFKSA1 | IR (Infineon Technologies) IPW65R150CFDAFKSA1 | IPW65R150CFDAFKSA1 Inventory, Best Pricing

IPW65R150CFDAFKSA1

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Numero parte	IPW65R150CFDAFKSA1
LIXINC Part #	IPW65R150CFDAFKSA1
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IPW65R150CFDAFKSA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 25 - Sep 29 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IPW65R150CFDAFKSA1 Specifiche

Numero parte:	IPW65R150CFDAFKSA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
serie:	Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
pacchetto:	Tube
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	650 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	22.4A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	150mOhm @ 9.3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	4.5V @ 900µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	86 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	2340 pF @ 100 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	195.3W (Tc)
temperatura di esercizio:	-40°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	PG-TO247-3
pacchetto/caso:	TO-247-3

FDMS8880	MOSFET N-CH 30V 13.5A/21A 8PQFN	72000 Maggiori informazioni su Ordine
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BSP250,135	MOSFET P-CH 30V 3A SOT223	4117 Maggiori informazioni su Ordine
IRF610A	N-CHANNEL POWER MOSFET	819 Maggiori informazioni su Ordine
NTD3055-150	MOSFET N-CH 60V 9A DPAK	5647 Maggiori informazioni su Ordine
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