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Numero parte | NVMTS0D7N06CLTXG |
LIXINC Part # | NVMTS0D7N06CLTXG |
Produttore | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | AFSM T6 60V LL NCH |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | NVMTS0D7N06CLTXG Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | NVMTS0D7N06CLTXG |
Marca: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
serie: | * |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | - |
tecnologia: | - |
tensione drain-source (vdss): | - |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 464A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | - |
rds su (max) @ id, vgs: | - |
vgs(th) (massimo) @ id: | - |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | - |
vgs (massimo): | - |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | - |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | - |
temperatura di esercizio: | - |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | 8-DFNW (8.3x8.4) |
pacchetto/caso: | 8-PowerTDFN |
IRFP26N60LPBF | MOSFET N-CH 600V 26A TO247-3 | 1027 Maggiori informazioni su Ordine |
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ISL9N306AD3 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 9205 Maggiori informazioni su Ordine |
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G3R350MT12D | SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3 | 1993 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 10820 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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