IXTR200N10P

IXTR200N10P
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Numero parte IXTR200N10P
LIXINC Part # IXTR200N10P
Produttore Wickmann / Littelfuse
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD IXTR200N10P Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 22 - Sep 26 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
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IXTR200N10P Specifiche

Numero parte:IXTR200N10P
Marca:Wickmann / Littelfuse
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Wickmann / Littelfuse
serie:HiPerFET™, PolarP2™
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):100 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:120A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:8mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:5V @ 500µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:235 nC @ 10 V
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:7600 pF @ 25 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):300W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:ISOPLUS247™
pacchetto/caso:ISOPLUS247™

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