BSR802NL6327HTSA1

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Numero parte BSR802NL6327HTSA1
LIXINC Part # BSR802NL6327HTSA1
Produttore IR (Infineon Technologies)
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 20V 3.7A SC59
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD BSR802NL6327HTSA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
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BSR802NL6327HTSA1 Specifiche

Numero parte:BSR802NL6327HTSA1
Marca:IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:IR (Infineon Technologies)
serie:OptiMOS™
pacchetto:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):20 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:3.7A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):1.8V, 2.5V
rds su (max) @ id, vgs:23mOhm @ 3.7A, 2.5V
vgs(th) (massimo) @ id:750mV @ 30µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:4.7 nC @ 2.5 V
vgs (massimo):±8V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:1447 pF @ 10 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):500mW (Ta)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:PG-SC-59
pacchetto/caso:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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