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Numero parte | IPP50R299CPXKSA1 |
LIXINC Part # | IPP50R299CPXKSA1 |
Produttore | Rochester Electronics |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | IPP50R299CPXKSA1 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 29 - Oct 03 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | IPP50R299CPXKSA1 |
Marca: | Rochester Electronics |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Rochester Electronics |
serie: | CoolMOS™ |
pacchetto: | Tube |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 550 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 12A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 299mOhm @ 6.6A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 3.5V @ 440µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 31 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±20V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 1.19 pF @ 100 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 104W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | PG-TO220-3-1 |
pacchetto/caso: | TO-220-3 |
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MTW8N50E | N-CHANNEL POWER MOSFET | 20670 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 34184 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.89000 | $0.89 |
10 | $0.80420 | $8.042 |
100 | $0.64610 | $64.61 |
500 | $0.50253 | $251.265 |
1000 | $0.41638 | $416.38 |
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