TK62N60W,S1VF | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK62N60W,S1VF

TK62N60W,S1VF

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Numero parte	TK62N60W,S1VF
LIXINC Part #	TK62N60W,S1VF
Produttore	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	TK62N60W,S1VF Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 29 - Oct 03 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

TK62N60W,S1VF Specifiche

Numero parte:	TK62N60W,S1VF
Marca:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
serie:	DTMOSIV
pacchetto:	Tube
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	600 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	61.8A (Ta)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	10V
rds su (max) @ id, vgs:	40mOhm @ 30.9A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:	3.7V @ 3.1mA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	180 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±30V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	6500 pF @ 300 V
caratteristica del feto:	Super Junction
dissipazione di potenza (max):	400W (Tc)
temperatura di esercizio:	150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:	TO-247
pacchetto/caso:	TO-247-3

IXTA08N50D2	MOSFET N-CH 500V 800MA TO263	1343810 Maggiori informazioni su Ordine
APT10035JLL	MOSFET N-CH 1000V 25A ISOTOP	864 Maggiori informazioni su Ordine
NVTFS005N04CTAG	MOSFET N-CH 40V 17A/69A 8WDFN	933 Maggiori informazioni su Ordine
IPD25N06S4L30ATMA2	MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31	909 Maggiori informazioni su Ordine
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TSM042N03CS RLG	MOSFET N-CHANNEL 30V 30A 8SOP	3307 Maggiori informazioni su Ordine