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Numero parte | NTBG020N120SC1 |
LIXINC Part # | NTBG020N120SC1 |
Produttore | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | NTBG020N120SC1 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 29 - Oct 03 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | NTBG020N120SC1 |
Marca: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
serie: | - |
pacchetto: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | SiCFET (Silicon Carbide) |
tensione drain-source (vdss): | 1200 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 8.6A (Ta), 98A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 20V |
rds su (max) @ id, vgs: | 28mOhm @ 60A, 20V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 4.3V @ 20mA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 220 nC @ 20 V |
vgs (massimo): | +25V, -15V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 2943 pF @ 800 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 3.7W (Ta), 468W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Surface Mount |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | D2PAK-7 |
pacchetto/caso: | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
APT60M75L2LLG | MOSFET N-CH 600V 73A 264 MAX | 835 Maggiori informazioni su Ordine |
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IPP50R299CPXKSA1 | COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET | 34238 Maggiori informazioni su Ordine |
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IPD80N06S3-09 | MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3 | 7817 Maggiori informazioni su Ordine |
In magazzino | 11915 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
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