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Numero parte | FQU2N60CTU |
LIXINC Part # | FQU2N60CTU |
Produttore | Rochester Electronics |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | FQU2N60CTU Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 28 - Oct 02 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | FQU2N60CTU |
Marca: | Rochester Electronics |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | Rochester Electronics |
serie: | QFET® |
pacchetto: | Bulk |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | N-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 600 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 1.9A (Tc) |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 4.7Ohm @ 950mA, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 4V @ 250µA |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | 12 nC @ 10 V |
vgs (massimo): | ±30V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 235 pF @ 25 V |
caratteristica del feto: | - |
dissipazione di potenza (max): | 2.5W (Ta), 44W (Tc) |
temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | I-PAK |
pacchetto/caso: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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In magazzino | 19032 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
Minimo | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.33000 | $0.33 |
10 | $0.29187 | $2.9187 |
100 | $0.23062 | $23.062 |
500 | $0.17885 | $89.425 |
1000 | $0.14120 | $141.2 |
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