IPN50R2K0CEATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPN50R2K0CEATMA1 | IPN50R2K0CEATMA1 Inventory, Best Pricing

IPN50R2K0CEATMA1

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Numero parte	IPN50R2K0CEATMA1
LIXINC Part #	IPN50R2K0CEATMA1
Produttore	IR (Infineon Technologies)
Categoria	semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single
Descrizione	MOSFET N-CH 500V 3.6A SOT223
Ciclo vitale	Attivo
RoHS	Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD	IPN50R2K0CEATMA1 Impronta PCB e simbolo
Magazzini	USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata	Sep 28 - Oct 02 2024(Scegli spedizione rapida)
Garanzia	Fino a 1 anno [Garanzia limitata]*
Pagamento
Spedizione

IPN50R2K0CEATMA1 Specifiche

Numero parte:	IPN50R2K0CEATMA1
Marca:	IR (Infineon Technologies)
Ciclo vitale:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Categoria:	semiconduttore discreto
Sottocategoria:	transistor - fet, mosfet - single
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
serie:	CoolMOS™ CE
pacchetto:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
stato della parte:	Active
tipo di feto:	N-Channel
tecnologia:	MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):	500 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:	3.6A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):	13V
rds su (max) @ id, vgs:	2Ohm @ 600mA, 13V
vgs(th) (massimo) @ id:	3.5V @ 50µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:	6 nC @ 10 V
vgs (massimo):	±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:	124 pF @ 100 V
caratteristica del feto:	-
dissipazione di potenza (max):	5W (Tc)
temperatura di esercizio:	-40°C ~ 150°C (TJ)
tipo di montaggio:	Surface Mount
pacchetto del dispositivo del fornitore:	PG-SOT223
pacchetto/caso:	SOT-223-3

TP86R203NL,LQ	MOSFET N CH 30V 19A 8SOP	2855 Maggiori informazioni su Ordine
DMT3006LFVQ-13	MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333	880 Maggiori informazioni su Ordine
NTMFS4923NET3G	MOSFET N-CH 30V 12.7A/91A 5DFN	15947 Maggiori informazioni su Ordine
PSMN1R5-25MLHX	MOSFET N-CH 25V 150A LFPAK33	3741 Maggiori informazioni su Ordine
SQJA02EP-T1_GE3	MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8	1025 Maggiori informazioni su Ordine
NTD4857N-1G	MOSFET N-CH 25V 12A/78A IPAK	9302 Maggiori informazioni su Ordine
FQA70N15	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7	1200 Maggiori informazioni su Ordine
BUK9614-55A,118	TRANSISTOR >30MHZ	6332 Maggiori informazioni su Ordine
PMV50UPEVL	MOSFET P-CH 20V 3.7A TO236AB	995 Maggiori informazioni su Ordine
IPB80N08S406ATMA1	MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3-2	15422 Maggiori informazioni su Ordine
AO4290A	MOSFET N-CH 100V 15.5A 8SOIC	978 Maggiori informazioni su Ordine
BUZ100S-E3045A	N-CHANNEL POWER MOSFET	31445 Maggiori informazioni su Ordine
IRFF221	N-CHANNEL POWER MOSFET	1866 Maggiori informazioni su Ordine