RM180N60T2

RM180N60T2
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Numero parte RM180N60T2
LIXINC Part # RM180N60T2
Produttore Rectron USA
Categoria semiconduttore discretotransistor - fet, mosfet - single
Descrizione MOSFET N-CH 60V 180A TO220-3
Ciclo vitale Attivo
RoHS Nessuna informazione RoHS
Modelli EDA/CAD RM180N60T2 Impronta PCB e simbolo
Magazzini USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong
Consegna stimata Sep 28 - Oct 02 2024(Scegli spedizione rapida)
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RM180N60T2 Specifiche

Numero parte:RM180N60T2
Marca:Rectron USA
Ciclo vitale:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Categoria:semiconduttore discreto
Sottocategoria:transistor - fet, mosfet - single
Produttore:Rectron USA
serie:-
pacchetto:Tube
stato della parte:Active
tipo di feto:N-Channel
tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
tensione drain-source (vdss):60 V
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c:180A (Tc)
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on):10V
rds su (max) @ id, vgs:2.9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id:4V @ 250µA
carica di gate (qg) (max) @ vgs:-
vgs (massimo):±20V
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds:4500 pF @ 30 V
caratteristica del feto:-
dissipazione di potenza (max):220W (Tc)
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
tipo di montaggio:Through Hole
pacchetto del dispositivo del fornitore:TO-220-3
pacchetto/caso:TO-220-3

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