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Numero parte | NTE464 |
LIXINC Part # | NTE464 |
Produttore | NTE Electronics, Inc. |
Categoria | semiconduttore discreto › transistor - fet, mosfet - single |
Descrizione | MOSFET-P CHANNEL AMP/SW |
Ciclo vitale | Attivo |
RoHS | Nessuna informazione RoHS |
Modelli EDA/CAD | NTE464 Impronta PCB e simbolo |
Magazzini | USA, Europa, Cina, RAS di Hong Kong |
Consegna stimata | Sep 28 - Oct 02 2024(Scegli spedizione rapida) |
Garanzia | Fino a 1 anno [Garanzia limitata]* |
Pagamento | |
Spedizione |
Numero parte: | NTE464 |
Marca: | NTE Electronics, Inc. |
Ciclo vitale: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Categoria: | semiconduttore discreto |
Sottocategoria: | transistor - fet, mosfet - single |
Produttore: | NTE Electronics, Inc. |
serie: | - |
pacchetto: | Bag |
stato della parte: | Active |
tipo di feto: | P-Channel |
tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
tensione drain-source (vdss): | 25 V |
corrente - scarico continuo (id) @ 25°c: | 10A |
tensione pilotaggio (max rds on, min rds on): | 10V |
rds su (max) @ id, vgs: | 600Ohm @ 0A, 10V |
vgs(th) (massimo) @ id: | 5V @ 10A |
carica di gate (qg) (max) @ vgs: | - |
vgs (massimo): | ±30V |
capacità di ingresso (ciss) (max) @ vds: | 5 pF @ 10 V |
caratteristica del feto: | Standard |
dissipazione di potenza (max): | 800mW (Tc) |
temperatura di esercizio: | 175°C (TJ) |
tipo di montaggio: | Through Hole |
pacchetto del dispositivo del fornitore: | TO-72 |
pacchetto/caso: | TO-72-3 |
FQD5N60CTM-WS | MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK | 943 Maggiori informazioni su Ordine |
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In magazzino | 11008 - Maggiori informazioni su Ordine |
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Limite di quotazione | Senza limiti |
Tempi di consegna | Essere confermato |
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